Tecnologias das memórias RAM

► Regular
► FPM (Fast Page Mode)
► EDO (Extended Data Out)
► SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory )
► DDR (Double Data Rate)
► DDR2 (Double Data Rate 2)
► Rambus
► Regular
Foram o primeiro tipo de memória usado em micros PC. O acesso é feito
enviando primeiro o endereço RAS e em seguida o endereço CAS, da
forma mais simples possível.
Foi fabricado com velocidades de acesso a partir de 150 ns, suportava o
barramento de 4,77 MHz do PC original.
Foram desenvolvidas posteriormente versões de 120, 100 e 80 ns para
serem utilizadas em micros 286.
As memórias regulares são encontradas apenas na forma de módulos DIP,
e foram utilizadas em micros XT, 286 e em alguns dos primeiros micros
386.
► FPM (Fast Page Mode)
É uma tecnologia que permite rápido acesso aos dados que estão na
mesma linha da memória.
Os chips com tecnologia FPM são geralmente encontrados em módulos
SIMM (30 e 72 vias). Mas também podem ser encontrados em módulos
DIMM de 168 vias e SODIMM.
Não é sincronizadas com o processador.
As memórias FPM vêm com códigos que indicam o seu tempo de acesso,
medido em nanosegundos.
► EDO (Extended Data Out)
É uma evolução da tecnologia FPM.
Nela a leitura de dados da memória é otimizada, fazendo com que os chips
com tecnologia EDO sejam cerca de 10 a 20% mais rápidos que os chips
FPM.
Chips com tecnologia EDO são encontrados comumente em módulos
SIMM de 72 vias e também em módulos DIMM de 168 vias e SODIMM.
Não é sincronizada com o processador.
As memórias EDO vêm com códigos que indicam o seu tempo de acesso,
medido em nanosegundos.
► SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory )
Permite que as memórias sejam sincronizadas com o processador.
Assim o controlador de memória sabe exatamente em que ciclo de clock a
informação estará disponível para o processador, evitando que o
processador espere os dados. Funciona sincronizada pelo sinal de clock.
A mudança no sinal é registrada na subida ou descida do sinal de clock.
No intervalo entre a subida e a descida do sinal de clock o mesmo
permanece num estado imutável ou instável.
O uso do clock do sistema com memórias DRAM permite que o sistema
trabalhe de maneira bastante rápida, pois este é previsível.
As memórias SDRAM vêm com códigos em nanosegundos, mas na
verdade eles não indicam o tempo de acesso e sim o tempo de ciclo, ou
seja, o clock com o qual a SDRAM trabalha.
► DDR (Double Data Rate)
As memórias DDR que funcionam a 100 MHz de clock real, o clock do chip
de memória e do buffer de E/S também é de 100 MHz.
O módulo DDR trabalha com um clock de 100 MHz, mas o clock dos dados
“efetivo” de 200 MHz, pois as transferências de dados são feitas na subida
e na descida do sinal de clock.
► DDR2 (Double Data Rate 2)
É uma aplicação de DDR duas vezes, então o nome DDR2.
Nas memórias DDR2 com chips que trabalham a 100 MHz de clock real, o
buffer de E/S usa a técnica de DDR para dobrar o clock do módulo para
200 MHz. E o DDR age novamente dobrando os 200 MHz e fazendo com
que o clock dos dados efetivo chegue a 400 MHz.
São de 400 e 533MHz. Mas logo teremos DDR2 de 667 MHz e 800 MHz. A
DDR2 de 533 MHz está sendo chamada de PC2 4200, pois sua taxa de
transferência chega a 4200 MB/seg.
► DDR3 (Double Data Rate 3)
*Como sugere a lógica, as memórias DDR3 realizam 8 acessos por ciclo,
contra os 4 acessos por ciclo das memórias DDR2. Assim como na
tecnologia anterior, os acessos são realizados a endereços subjacentes, de
forma que não existe necessidade de aumentar a freqüência "real" das
células de memória.
* Inicialmente, os módulos DDR3 foram lançados em versão:
* DDR3-1066 (133 MHz x 8) – PC3-8500
* DDR3-1333 (166 MHz x 8) – PC3-10667
* DDR3-1600 (200 MHz x 8) – PC3-12800
* Apesar do aumento no número de transferências por ciclo, os buffers de
dados continuam trabalhando a apenas o dobro da freqüência das células
de memória. Ou seja, a freqüência interna (das células de memória) de um
módulo DDR3-1600 é de 200 MHz e a freqüência externa (dos buffers de
dados) é de 400 MHz.
* As células de memória realizam 8 transferências por ciclo de clock (em vez
de 4, como nas DDR2) e os buffers de dados (que operam ao dobro da
freqüência) realizam 4 transferências por ciclo de clock, em vez de apenas
duas, como nos módulos DDR2.
Os módulos DDR3 utilizam também 8 bancos em vez de 4, o que ajuda a
reduzir o tempo de latência em módulos de grande capacidade. Elas também
trouxeram uma nova redução na tensão usada, que caiu para apenas 1.5V, ao
invés dos 1.8V usados pelas memórias DDR2. A redução na tensão faz com
que o consumo elétrico dos módulos caia proporcionalmente, o que os torna
mais atrativos para os fabricantes de notebooks.
* Somadas todas essas melhorias, os tempos de acesso "reais" dos módulos
foram sensivelmente reduzidos. Em vez de de trabalharem com tempos de
acesso 10-10-10-30, a geração inicial de módulos DDR3 é capaz de trabalhar
com temporização 9-9-9-24, ou mesmo 7-7-7-15.
* Apesar disso, muitos módulos de alto desempenho podem precisar de tensões
mais altas, como 1.6V ou mesmo 1.7V para trabalharem na freqüência máxima.
Assim como no caso dos módulos DDR2, os fabricantes podem ajustar a
tensão de operação de acordo com as necessidades do projeto e você pode
também utilizar tensões mais altas por conta própria ao fazer overclock.
* Os módulos DDR3 utilizam os mesmos 240 contatos dos módulos DDR2 e
mantém o mesmo formato. A única diferença visível (fora etiquetas e códigos
de identificação) é a mudança na posição do chanfro, que passou a ser
posicionado mais próximo do canto do módulo. O chanfro serve justamente
para impedir que módulos de diferentes tecnologias sejam encaixados em
placas incompatíveis.
► Rambus - Rambus Dynamic RAM
Todos os slots devem ser preenchidos os slots não utilizados devem ser
preenchidos com módulos de continuidade.
Consegue atingir taxas de até 3,2 GB/s com o seu controlador (chipset),
enquanto o barramento operando a 100 MHz trabalha a 800 MB/s, a 133
MHz, 1 GB/s e a 200 MHz, 1,6 GB/s.
Essas seriam as taxas utilizadas por memórias SDRAM.
Ou seja, em um barramento de 100 MHz, a memória Rambus pode oferecer
um desempenho 4 vezes maior que as atuais memórias SDRAM.